การปรับปรุงคุณภาพเมล็ดพันธุ์ข้าวด้วยการประยุกต์ใช้ไดอิเล็กทริกแบริเออร์ดิสชาร์จพลาสมา (DBD PLASMA) ร่วมกับคอปเปอร์ออกไซด์นาโนพาร์ติเคิล (CuO NPs)

Improving rice seed quality through the combined application of DBD plasma and CuO NPs

Name: จิร ประดิษฐวนิช

ThaSH: ข้าว -- การขยายพันธุ์

ThaSH: ข้าว -- การปรับปรุงพันธุ์

ThaSH: ข้าว -- คุณภาพ

ThaSH: ข้าวพันธุ์สันป่าตอง 1

Abstract: การวิจัยครั้งนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาผลของพลาสมาแบบไดอิเล็กทริคแบริเออร์ติสชาร์จ (Dielectric Barrier Discharge: DBD plasma) และคอปเปอร์ออกไซด์นาโนพาร์ติเคิล (Copper Oxide Nanoparticles: CuO NPs) คือคุณภาพเมล็ดพันธุ์ข้าว การเจริญเติบโตของต้นกล้า และความสามารถในการยับยั้งเชื้อราสาเหตุโรคพืชเมล็ดพันธุ์ข้าวพันธุ์สันป่าตอง 1 ถูกนำมาทดลองโดยการบำบัดด้วย DBD plasma ที่ความเร็วการเคลื่อนผ่าน 3 ระดับ คือ 0.4, 0.6 และ 0.8 วินาทีต่อเซนติเมตร และการ เคลือบด้วยสารละลาย CuO NPs ที่ความเข้มข้น 5 ระดับ ได้แก่ 0, 0.02, 0.04, 0.06 และ 0.08 โมลาร์ การทดลองดำเนินการตามแผนการทดลองแบบ Split-split plot in Randomized Complete Block Design (Split-split plot in RCBD) โดยกำหนดระยะเวลาการเก็บรักษาเมล็ด (0, 2, 4 และ 6 เดือน) เป็นปัจจัยหลัก ผลการศึกษาพบว่า การบำบัดด้วยพลาสมามีผลช่วยปรับปรุงคุณสมบัติความสามารถในการเปียกของผิวเมล็ด (wettability) ให้ดีขึ้น ขณะที่การใช้ CuO NPs ส่งผลให้เมล็ดมีการดูดซึมทองแดง เพิ่มขึ้นและส่งเสริมการเจริญเติบโตของต้นกล้าได้ดีในช่วงความเข้มข้น 0.04-0.06 โมลาร์ แต่เกิด อาการเป็นพิษในระดับความเข้มข้น 0.08 โมลาร์ การใช้พลาสมาร่วมกับ CuO NPs สามารถยับยั้งการ เจริญของเชื้อรา Rhizopus sp. และ Rhizoctonia solani ได้อย่างมีประสิทธิภาพ อย่างไรก็ตาม พบว่ามี ผลต่อการยับยั้งเชื้อ Aspergillus spp. น้อยกว่า นอกจากนี้ การเก็บรักษาเมล็ดเป็นระยะเวลานานส่งผลให้คุณภาพเมล็ตลดลง โดยเฉพาะหลัง การเก็บรักษา 6 เดือน ซึ่งสันนิษฐานว่าเกิดจากภาวะความเครียดออกซิเดชัน (oxidative stress) ผลการทดลองโดยรวมแสดงให้เห็นว่า การบำบัดเมล็ดพันธุ์ด้วยพลาสมา DBD ที่ระยะเวลา 0.6 วินาทีต่อเซนติเมตร ร่วมกับการเคลือบ CuO NPs ที่ความเข้มข้น 0.06 โมลาร์ ให้ผลดีที่สุดในการเพิ่มอัตราการงอก ความแข็งแรงของเมล็ด และการเจริญเติบโตของต้นกล้าโดยไม่ก่อให้เกิดความเป็นพิษแสดงให้เห็นถึงศักยภาพของการใช้เทคโนโลยีพลาสมาร่วมกับคอปเปอร์ออกไซด์นาโนพาร์ติเคิลในการ ปรับปรุงคุณภาพเมล็ดพันธุ์ข้าวและการจัดการเชื้อราสาเหตุโรคพืชในระดับอุตสาหกรรมได้อย่างมีประสิทธิภาพ

Abstract: This study examined the effects of dielectric barrier discharge (DBD) plasma and copper oxide nanoparticles (CuO NPs) on rice seed quality, seedling growth, and fungal inhibition. Sanpatong I rice seeds were treated with DBD plasma at three exposure durations (0.4, 0.6, and 0.8 s/cm) and coated with CuO NP solutions at five concentrations (0, 0.02, 0.04, 0.06, and 0.08 M). The experiment followed a split-split-plot design within a randomized complete block design (RCBD), with storage time (0, 2, 4, and 6 months) as the main plot factor. Plasma etching improved seed surface wettability, while CuO NPs increased copper uptake and promoted growth at 0.04-0.06 M but caused toxicity at 0.08 M. Combined treatments suppressed Rhizopus sp. and Rhizoctonia solani, though Aspergillus spp. were less affected. Seed quality declined after six months of storage, likely due to oxidative stress. The best results were obtained with 0.6 s/cm plasma and 0.06 M CuO NPs, maximizing germination, vigor, and seedling growth without toxicity, demonstrating their potential as practical tools for improving ng rice seed quality and pathogen management. d pathogen management.

มหาวิทยาลัยเชียงใหม่. สำนักหอสมุด

Address: เชียงใหม่

Email: cmulibref@cmu.ac.th

Name: สงวนศักดิ์ ธนาพรพูนพงษ์

Role: อาจารย์ที่ปรึกษา

Name: โยธิน ฉิมอุปละ

Role: อาจารย์ที่ปรึกษา

Created: 2568

Modified: 2568-12-16

Issued: 2568-12-16

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

tha

DegreeName: วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต

Level: ปริญญาโท

Descipline: พืชไร่

Grantor: มหาวิทยาลัยเชียงใหม่

©copyrights มหาวิทยาลัยเชียงใหม่

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	640831012.pdf	487.52 KB

ใช้เวลา

0.02965 วินาที