การออกแบบพารามิเตอร์ในกระบวนการล้างแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์

Parameter design of electronics circuit boards in the washing process

Name: อำนาจ แซ่ลิ้ม

ThaSH: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ -- วิทยานิพนธ์. วศ.ม. (การจัดการวิศวกรรมและเทคโนโลยี) 2561.

Classification :.LCCS: TS156

ThaSH: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์. -- สาขาการจัดการวิศวกรรมและเทคโนโลยี -- วิทยานิพนธ์

ThaSH: การควบคุมคุณภาพ

ThaSH: การออกแบบการทดลอง

ThaSH: วงจรอิเล็กทรอนิกส์

Abstract: จากการศึกษากระบวนการผลิตแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์สำเร็จรูปในกลุ่มผลิตภัณฑ์หุ่นยนต์ อุตสาหกรรมของโรงงานกรณีศึกษาแห่งหนึ่ง พบปัญหาหลักคือปริมาณของข้อบกพร่องจากการ เกิดคราบน้ำยาประสานตกค้าง (Flux residues) บนแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์รุ่น JS1 หลังผ่าน กระบวนการล้าง คิดเป็นร้อยละ 14.14 โดยเฉลี่ยดังนั้นงานวิจัยนี้จึงมีวัตถุประสงค์เพื่อ (1) ศึกษา ปัจจัยที่ส่งผลต่อการเกิดคราบน้ำยาประสานตกค้างบนแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ และ (2) แก้ปัญหา และลดปริมาณของข้อบกพร่องจากการเกิดคราบน้ำยาประสานตกค้าง (Flux residues) บนแผงวงจร อิเล็กทรอนิกส์ให้แก่โรงงานกรณีศึกษา จากการวิเคราะห์สาเหตุของปัญหาโดยใช้แผนผังแสดงเหตุ และผล (Cause and effect diagram) พบว่ามี 4 ปัจจัยหลักคือ ระดับความเข้มข้นของน้ำยา (Chemical concentration) ระยะเวลาในการล้าง (Cleaning time) ปริมาณน้ำยาประสาน (Flux content) และประเภทของน้ำยา (Chemical type) จากนั้นจึงออกแบบการทดลองเชิงแฟคทอเรียล เต็มรูปแบบ (Full factorial design) โดยทำการทดลองซ้ำ 2ครั้ง ที่ระดับนัยสำคัญ 0.05 พบว่า ผลกระทบร่วมระหว่างสามปัจจัยคือ ระดับความเข้มข้นของน้ำยา ระยะเวลาในการล้าง และปริมาณ น้ำยาประสาน มีผลต่ออัตราของข้อบกพร่องอย่างมีนัยสำคัญ และประเภทของน้ำยาไม่มีผลต่อการ เกิดคราบน้ำยาประสานตกค้างบนแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ ผลวิจัยพบว่าค่าพารามิเตอร์ของแต่ละ ปัจจัยที่ทำให้อัตราของข้อบกพร่องต่ำที่สุดคือระดับความเข้มข้นของน้ำยา 25% ระยะเวลาในการ ล้าง 20 นาที และปริมาณน้ำยาประสานคือ 10% จากการยืนยันผลการทดลองพบว่าอัตราส่วนของ ข้อบกพร่องจากคราบน้ำยาประสานตกค้างคิดเป็นร้อยละ 0.92 ทั้งนี้เมื่อเทียบกับอัตราการเกดิคราบ น้ำยาประสานตกค้างบนแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์จากเดิมอยู่ที่ร้อยละ 14.14 ซึ่งสามารถลดลงได้ถึง ร้อยละ 13.22 This paper is a case-base study investigating a company which produces electronic circuit boards for robotic parts. The major problem for this company is a defect rate of 14.14% due to the flux residues on the circuit boards in model JS1. Therefore, this study aims to firstly, identify factors that lead to the flux residues; and secondly, identify the optimal solution for this defect problem. To meet these objectives, a root cause analysis was performed by utilizing a cause and effect diagram. Following this analysis, the four main factors that potentially cause the flux residues were identified as chemical type, chemical concentration, flux content and cleaning time. Then, a full factorial design with two replications was performed. The results showed that the three-way interactions between chemical concentration, cleaning time and flux content had a significant impact on the defective rate of the flux residues. However, the results showed no significant impact between chemical type and flux residues on the electronic circuit boards. The appropriate level of each factor that provides the lowest defective rate can be identified as; chemical concentration at 25%, a cleaning time at 20 minutes and flux content at10%. Moreover, the confirmed result indicated that by using those appropriate parameters, the defective rate of the flux residues on the circuit boards was reduced to 0.92%. Therefore, the defective rate was reduced by 13.22%, compared with the defective rate before doing the experiments.

มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์. สำนักหอสมุด

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: tdckulib@ku.ac.th

Name: จิราภรณ์ ประดับวงษ์

Role: อาจารย์ที่ปรึกษาวิทยานิพนธ์หลัก

Created: 2561

Modified: 2568-06-30

Issued: 2568-06-30

วิทยานิพนธ์/Thesis

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

URL: http://www.lib.ku.ac.th/KUthesis/2561/amnat-sae-all.

CallNumber: TS156 .อ215

tha

DegreeName: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต

Level: ปริญญาโท

Descipline: การจัดการวิศวกรรมและเทคโนโลยี

Grantor: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์

©copyrights มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	amnat-sae-all.pdf	3.7 MB

ใช้เวลา

0.032684 วินาที