การสังเคราะห์อนุภาคนาโนซิลเวอร์บิสมัทเทลลูไรด์ (AgBiTe2 SBT) สำหรับใช้เป็นเซลล์โฟโตโวลตาอิก

The synthesis of silver bismuth telluride (AgBiTe2 SBT) nanoparticles used in photovoltaic cell

Name: ปฐมาภรณ์ เติมสายทอง

ThaSH: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ -- วิทยานิพนธ์. วศ.ม. (วิศวกรรมวัสดุ) 2560.

Classification :.LCCS: TK2960

ThaSH: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์. -- สาขาวิศวกรรมวัสดุ -- วิทยานิพนธ์

ThaSH: เซลล์แสงอาทิตย์

ThaSH: ซิลเวอร์บิสมัทเทลลูไรด์

ThaSH: โฟโตโวลตาอิก

ThaSH: อนุภาคนาโน

Abstract: ซิลเวอร์บิสมัทเทลลูไรด์ (AgBiTe2 : SBT) เป็นสารกึ่งตัวนำชนิดใหม่สำหรับใช้เป็นสารรับไวแสงใน เซลล์แสงอาทิตย์ โดยใช้กระบวนการตกสะสมไอออนในสารละลาย และเกิดปฏิกิริยาเคมี (SILAR) และเจือ โบรอนลงในซิลเวอร์บิสมัทเทลลูไรด์ ผลจากการวัดคุณสมบัติเชิงแสงของสเปคตรัมการดูดกลืนของสารกึ่ง ตัวนำที่เจือและไม่เจือด้วยโบรอนในจำนวนรอบการจุ่มที่ 2 3 4 5 และ 6 จะพบว่าสารกึ่งตัวนำซิลเวอร์บิสมัท เทลลูไรด์ที่เจือด้วยโบรอนมีค่าการดูดกลืนแสงที่มากกว่าเมื่อเปรียบเทียบกับไม่เจือด้วยโบรอน และค่าการ ดูดกลืนแสงมีค่ามากขึ้นตามจำนวนรอบของการจุ่มที่เพิ่มขึ้น ซึ่งมีการดูดกลืนแสงในช่วง 350 ถึง 900 นาโน เมตร ดังนั้นค่าช่องว่างแถบพลังงานจะน้อยลงตามจำนวนรอบของการจุ่มที่เพิ่มขึ้น อยู่ในช่วง 2 ถึง 1.79 และ 1.96 ถึง 1.71 eV เนื่องจากการเพิ่มขนาด และจำนวนของอนุภาค ดังนั้นการเพิ่มจำนวนรอบของการจุ่มจะมี ผลต่อค่าประสิทธิภาพการแปลงพลังงานแสงเป็นพลังงานไฟฟ้า จำนวนรอบที่ดีที่สุดของซิลเวอร์บิสมัทเทลลู ไรด์ คือ 4 รอบ และไม่เจือด้วยโบรอนคือ 2 รอบ ซึ่งมีค่าความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าลัดวงจร (Jsc) เท่ากับ 0.0350 และ 0.0410 mA/cm2 ความต่างศักย์วงจรเปิด (Voc) เท่ากับ 0.1194 และ 0.1849 V ค่าฟิลแฟค เตอร์ (FF) เท่ากับร้อยละ 21.9 และ 19.3 และค่าประสิทธิภาพการแปลงพลังงานแสงเป็นพลังงานไฟฟ้าเท่ากับ ร้อยละ (η) 0.0009 และ 0.0015 ตามลำดับ ดังนั้นซิลเวอร์บิสมัทเทลลูไรด์ที่เจือด้วยโบรอนให้ค่า ประสิทธิภาพการแปลงพลังงานแสงให้เป็นพลังงานไฟฟ้าได้ดีที่สุด Silver bismuth telluride (AgBiTe2 ) semiconductor was a new material for solar cells. Semiconductor-AgBiTe2 nanoparticles with boron doping were synthesized using successive ionic layer absorption and reaction (SILAR) method. The absorption measurement of AgBiTe2 with boron doping in the dipped cycles at 2 3 4 5 and 6 was show in an effective range from 350 to 900 nm. The energy gaps were reduced with increase in SILAR cycles. The optimal SILAR cycle at n = 4 yields for un-doped boron and 2 yields for doped boron the highest η of 0.0015% and 0.0009%, current density (Jsc) of 0.035 and 0.041 mA/cm2 , photovoltage (Voc) of 0.1194 and 0.1849 V and fill factor (FF) of 21.9 and 19.3%, respectively. The boron doped on AgBiTe2 semiconductors were the best power conversion efficiency

มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์. สำนักหอสมุด

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: tdckulib@ku.ac.th

Name: อภิชาติ โรจนโรวรรณ

Role: อาจารย์ที่ปรึกษาวิทยานิพนธ์หลัก

Created: 2560

Modified: 2566-06-13

Issued: 2566-06-13

วิทยานิพนธ์/Thesis

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

URL: https://kasetsart.idm.oclc.org/login?url=https://www.lib.ku.ac.th/KUthesis/2560/patamaporn-ter-all.pdf

CallNumber: TK2960.ป13

tha

DegreeName: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต

Level: ปริญญาโท

Descipline: วิศวกรรมวัสดุ

Grantor: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์

©copyrights มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	patamaporn-ter-all.pdf	6.56 MB

ใช้เวลา

0.0301 วินาที