ผลกระทบของตัวเจือร่วมอะลูมิเนียมและแกลเลียมต่อฟิล์มบางนำไฟฟ้าโปร่งแสงซิงค์ออกไซด์ปลูกด้วยเทคนิคสเปรย์ไพโรไลสิส

Effect of co-doped aluminium and gallium on conductive transparent zinc oxide thin film prepared by spray pyrolysis technique

Name: วรพจน์ ศรีเพียรเอม

ThaSH: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ -- วิทยานิพนธ์. วศ.ม. (วิศวกรรมวัสดุ) 2560

Classification :.LCCS: TA418.9.T45

ThaSH: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์. สาขาวิศวกรรมวัสดุ -- วิทยานิพนธ์

ThaSH: ฟิล์มบางสังกะสีออกไซด์

ThaSH: ฟิล์มบาง

ThaSH: อะลูมินัม

ThaSH: แกลเลียม

ThaSH: การแยกสลายด้วยความร้อน

Abstract: การศึกษาการเพิ่มสมบัติของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ (ZnO) ได้มีการศึกษาที่หลากหลายมากขึ้น โดยหนึ่งในรูปแบบที่นิยมในการศึกษาเพื่อเพิ่มสมบัติของฟิล์มบางคือการเจือซึ่งในงานวิจัยนี้ได้ทำการศึกษารูปแบบการเจือร่วมของอะลูมิเนียมและแกลเลียม สำหรับฟิล์มบางซิงค์-ออกไซด์ โดยใช้เทคนิคสเปรย์ไพโรไลสิส ซิงค์อะซิเตท (Zn(CH3OOH)2.2H2O) ถูกนำมาใช้เป็นสารตั้งต้นสำหรับการปลูกฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์อะลูมิเนียมไนเตรท (Al(NO3)3.9H2O)O3)3.9H2O) และแกลเลียมไนเตรท (Ga(NO3)3.9H2O) สำหรับเพื่อเป็นสารตั้งต้นการเจือของอะลูมิเนียมและแกลเลียม ตามลำดับ โดยทำการศึกษาอัตราส่วนการเจือของอะลูมิเนียมและแกลเลียมที่ 5 :0, 3.75 :1.25, 2.5 :2.5, 1.25 :3.75 และ0 :5 อะตอมมิคเปอร์เซ็นต์ ซึ่งทำการปลูกที่อุณหภูมิ 400 องศาเซลเซียส อัตราการไหลของสารละลายและแก๊สนำพาที่ 4 ml/min และ0.2kg/cm2 ตามลำดับ จากนั้นจึงทำการวิเคราะห์โครงสร้างผลึก โครงสร้างทางจุลภาคสมบติทางแสงและสมบติทางไฟฟ้าโดย X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM), Atomic force microscope (AFM), Profilometer, UV-Visible spectroscopy และเทคนิค Four point probe Co-doping a semiconductor thin film with two or more dopants is a feasible technique to improve the electrical properties of the thin film. In this work, we studied the co-doping of Al and Ga n-type impurities in a ZnO film (AGZO). The AGZO thin films were deposited on a heated glass substrate by spray pyrolysis method. The precursor solution was a mixture of zinc acetate dihydrate, aluminium nitrate and gallium nitrate. The total doping concentration was 5 at% with varying Al:Ga co-doping proportions of 0:5, 1.25:3.75, 2.5:2.5, 3.75:1.25 and 5:0 at%. The effect of Al/Ga co-doping on the structural, texture, morphological, optical and electrical properties of the AGZO films were investigated using X-ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscope (AFM), Profilometer, Scanning Electron Microscopy (SEM), UV-Visible Spectroscopy and Four-Point Probe technique, respectively.

มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์. สำนักหอสมุด

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: tdckulib@ku.ac.th

Name: ราชธีร์ เตชไพศาลเจริญกิจ

Role: อาจารย์ที่ปรึกษาวิทยานิพนธ์หลัก

Created: 2560

Modified: 2566-05-10

Issued: 2566-05-10

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

URL: https://kasetsart.idm.oclc.org/login?url=https://www.lib.ku.ac.th/KUthesis/2560/worapot-sri-all.pdf

CallNumber: TA418.9.T45.ว12

tha

DegreeName: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต

Level: ปริญญาโท

Descipline: วิศวกรรมวัสดุ

Grantor: มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์

©copyrights มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	worapot-sri-all.pdf	6.99 MB	6	2024-12-04 13:48:11

ใช้เวลา

0.017552 วินาที