การศึกษาสมบัติของฟิล์มบาง CdSₓTe₁₋ₓ (0≤x≤1) ที่เตรียมโดยวิธีระเหิดสารเคมีในระยะประชิดเพื่อประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์ : รายงานการวิจัยฉบับสมบูรณ์

Characterization of CdSₓTe₁₋ₓ (0≤x≤1) thin films prepared by close spaced sublimation method for solar cell application

Name: ฐิตินัย แก้วแดง

Name: งามนิตย์ วงษ์เจริญ

Name: ทิพรัตน์ วงษ์เจริญ

Name: ชัยสิงห์ ภู่รักษ์เกียรติ

ThaSH: ฟิล์มบาง -- วิจัย

ThaSH: ฟิล์มสารกึ่งตัวนำ -- วิจัย

ThaSH: เซลล์แสงอาทิตย์ -- วิจัย

Abstract: ในงานวิจัยนี้ได้ทำการประดิษฐ์ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSₓTe₁₋ₓ (0≤x≤1) เคลือบลงบนแผ่นฐานรองรับที่เป็นกระจกสไลด์โดยวิธีการระเหิดสารเคมีด้วยความร้อนในระยะประชิดในระบบสุญญากาศ สำหรับฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdTe จะใช้อุณหภูมิของสารตั้งต้นและอุณหภูมิของแผ่นฐานรองรับเท่ากับ 550 และ 450 องศาเซลเซียสตามลำดับ ส่วนฟิล์มที่มีองค์ประกอบอื่นๆ จะกำหนดให้อุณหภูมิของสารตั้งต้นและอุณหภูมิของแผ่นฐานรองรับเท่ากับ 700 และ 600 องศาเซลเซียส ตามลำดับ ในกรณีสัดส่วนของโมลอะตอมของธาตุ S ต่ำกว่า 0.2 โครงสร้างผลึกจะเป็นแบบคิวบิก อย่างไรก็ตามกรณีสัดส่วนผสมของโมลอะตามของธาตุ S อยู่ระหว่าง 0.2 ถึง 0.8 โครงสร้างผลึกจะเป็นแบบคิวบิกและแบบเฮกซะโกนัลอยู่ร่วมกัน ในขณะที่ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ Cds จะมีโครงสร้างผลึกเป็นแบบเฮกซะโกนัลอย่างเดียว จากภาพถ่ายด้วยกล้องอิเล็กตรอนแบบส่องกราด พบว่าเมื่อสัดส่วนโมลอะตอมของธาตุ S เพิ่มขึ้น จะทำให้ขนาดของเกรนลดลง ค่าช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSₓTe₁₋ₓ จะมีค่าเปลี่ยนจาก 1.48 อิเล็กตรอนโวลต์ (กรณีฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdTe) ไปเป็น 2.25 อิเล็กตรอนโวลต์ (กรณีฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdS) จากการวัดสภาพนำไฟฟ้าเชิงแสงชั่วขณะ พบว่าฟิล์มบางที่มีสัดส่วนผสมของโมลอะตอมของธาตุ S เท่ากับ 0.2 จะมีความไวสูงสุดประมาณ 60"

Abstract: In this research, CdSₓTe₁₋ₓ (0≤x≤1) thin films have been prepared on slide glass substrate by close spaced sublimation method. For CdTe thin films growth condition, source temperature and glass substrate temperature were 550 and 450ºC, respectively. In all solid solution films and CdS thin films, source temperature and glass substrate temperature were fixed at 700 and 600 ºC, respectively. When the S mole ratio less than 0.2, the crystal structure of CdSₓTe₁₋ₓ thin films was cubic. However, for 0.2≤x≤0.8 the films were grown in mixed phases between cubic and hexagonal structures whereas CdS thin films formed in a hexagonal phase. SEM micrographs show the grain size decreases when the S content increases. As the S content increases, the energy gap value of CdSxTe1-x thin films varies from 1.48 eV for CdTe thin films to 2.25 eV for CdS thin films. From the transient photoconductivity measurements, the highest sensitivity value about 60 was obtained for the composition x = 0.2."

สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: Lifelong@kmitl.ac.th

Name: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. คณะวิทยาศาสตร์

Role: ผู้ให้ทุน

Created: 2559

Modified: 2564-10-27

Issued: 2564-10-27

งานวิจัย/Research report

application/pdf

tha

©copyrights สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	Fulltext T145204-1.pdf	30.62 MB	1	2021-10-27 11:39:44

ใช้เวลา

0.034883 วินาที