การใช้โปรแกรมแบบจำลองทางคณิตศาสตร์เพื่อควบคุมลายวงจร ด้วยเทคนิคการชดเชยความคลาดเคลื่อนทางแสง

Pattern Profile Control with Optical Proximity Correction by Simulation Technique

Name: สุรนันท์ เวหนะรัตน์

keyword: การชดเชยความคลาดเคลื่อนทางแสง

Abstract: วิทยานิพนธ์นี้เป็นการศึกษาและพัฒนากระบวนการถ่ายแบบลายวงจรซึ่งเป็นกระบวนการสำคัญที่ใช้ ในการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ โดยในระหว่างกระบวนการถ่ายแบบลายวงจรทั่วไปมักจะเกิดปัญหา ความคลาดเคลื่อนทางแสง (Optical Proximity Error, OPE) ส่งผลให้ไม่สามารถควบคุมขนาดและ รูปร่างของลายวงจรให้เป็นไปตามที่ออกแบบไว้ งานวิจัยนี้จึงประยุกต์ใช้เทคนิคชดเชยผลของความ คลาดเคลื่อนทางแสง (Optical Proximity Correction, OPC) ชินดแบบจำลอง (Model-based OPC) ซึ่ง อาศัยโปรแกรมแบบจำลองทางคณิตศาสตร์ OPTOLITH มาใช้ เพื่อควบคุมรูปร่างของลายวงจรให้ได้ ตามที่ต้องการ โดยทำบนแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ และเปรียบเทียบการชดเชยทางแสงระหว่างการใช้ เทคนิคแบบจำลองกับผลที่ได้จากการทดลองจริง โดยอาศัยภาพเสมือนจริงของพลังงานแสงที่ตก กระทบลงบนผิวชิ้นงาน ทั้งนี้ลายวงจรที่ทำการศึกษาจะเป็นชนิดรู้เชื่อมต่อ (Contact hole) และโพลี เกต (Poly gate) ที่มีความหนาแน่นของลายวงจรแตกต่างกัน จากผลการทดลองพบว่าเทคนิคการ ชดเชยความคลาดเคลื่อนทางแสงสามารถควบคุมขนาดของลายวงจรได้ดีขึ้น โดยการจำลองลายวงจร แบบรูเชื่อมต่อมีความใกล้เคียงกับการทดลองจริงมากกว่าแบบโพลีเกต เนื่องจากข้อจำกัดในการ ทดลองจริงจำเป็นต้องล้างลายวงจรแบบโพลีเกตนานกว่าที่กำหนด (Over developing) และจากการ จำลองกระบวนการถ่ายลายวงจรโดยรวมพบว่าสามารถสร้างสมการในการทำนายความลึกของลาย วงจร (Developed deth) ความหนาบริเวณผิวฟิล์มน้ำยาไวแสงที่หายไป (Removal thickness) และ ความกว้างของลายวงจร (Critical Dimension) ได้อย่างถูกต้องในระดับสหสัมพันธ์มากกว่า 0.9

Abstract: flThis research presents the study and development of photolithography process that is an indispensible process in Integrated Circuit (IC) fabrication to reduce the Optical Proximity Error (OPE), which is a cricital issue defecting feature size and configuration during the exposure. The model-based OPC technique that is one of the Optical Proximity Correction (OPC) techniques, extensively used to minimize the OPE is attempted using the OPTOLITH simulator to control feature size and pattern on Si wafers. Simulated results are verified with the actual experiments by measuring a virtual image of the exposed light incident onto the wafer. Contact hole and Poly gate with different pattern densities are two test features of interest. A Better feature control is realized after using the OPC. The simulation of the contact hole provides a less error than that of the poly gate since in the experiments the polygate is overly developed. The prediction models of the photolithography offers higher than 0.9 correlation level for developed depth, removal thickness, and critical dimension.

มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี. สำนักหอสมุด.

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: info.lib@mail.kmutt.ac.th

Name: ราชวดี ศิลาพันธ์

Role: อาจารย์ที่ปรึกษา

Created: 2554-01-14

Modified: 2554-01-14

Issued: 2554-01-14

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

CallNumber: ENE963

tha

DegreeName: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต

Level: ปริญญาโท

Descipline: วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์และโทรคมนาคม

Grantor: มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี

©copyrights มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	ENE963.pdf	2.15 MB	99	2026-05-26 18:16:01
2	ENE963ab.pdf	36.29 KB	42	2026-05-26 18:16:01

ใช้เวลา

0.027753 วินาที