แจ้งเอกสารไม่ครบถ้วน, ไม่ตรงกับชื่อเรื่อง หรือมีข้อผิดพลาดเกี่ยวกับเอกสาร ติดต่อที่นี่ ==>
หากไม่มีอีเมลผู้รับให้กรอก thailis-noc@uni.net.th ติดต่อเจ้าหน้าที่เจ้าของเอกสาร กรณีเอกสารไม่ครบหรือไม่ตรง

ระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริง
Thin film coating system by sputtering technique

ThaSH: สปัตเตอริง (ฟิสิกส์)
ThaSH: ฟิล์มบาง
Abstract: ในงานวิจัยนี้ได้ทำการออกแบบและสร้างระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริงขึ้นมา แหล่งกำเนิดไฟฟ้ากระแสตรงโวลต์สูงใช้สำหรับสร้างสนามไฟฟ้าขึ้นระหว่างขั้วอิเล็กโทรดมีแรงเคลื่อนไฟฟ้าสูงสุดประมาณ 2000 โวลต์ ขั้วคาโธดที่เป็นเป้าทำด้วยแผ่นบางกลมของโมลิบดีนัม มีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางเท่ากับ 10 เซ็นติเมตร และหนาเท่ากับ 0.05 เซ็นติเมตร แผ่นรองรับฟิล์มบางตลอดการทดลองใช้กระจบปิดสไลด์ธรรมดา เพื่อปัองกันการสปัตเตอร์ที่บริเวณขอบและผิวบนของขั้นดาโธดและลดการอาร์คที่อาจจะเกิดขึ้น ได้คลุมบริเวณดังกล่าวด้วยแผ่นสเตนเลสที่ต่อลงดินไว้ อนุภาคพลังงานสูงสำหรับกระบวนการสปัตเตอริงในการทดลองนี้คืออิออนของกาซอาร์กอน ในโกลว์ดิสชาร์จความดันการซอาร์กอนในภาชนะสุญญากาศถูกควบคุมให้คงที่ด้วยการปรับวาล์วรูเข็ม ความดันต่ำสุดในภาชนะสุญญากาศมีค่าประมาณ 5x 10-4 ทอร์ อัตราการเคลือบฟล์มบางโมลิบดีนัมมีค่าประมาณ 0.5 ไมครอนต่อชั่วโมง พบว่าโครงสร้างผลึกของฟิล์มบางไม่สมบูรณ์ โดยตรวจสอบด้วยวิธีเอ็กซ์เรย์ดิฟแฟรคชั่นและสภาพต้านทานไฟฟ้า[สัญลักษณ์] ต้นแบบของฟิล์มมีค่าประมาณ 155 ไมโครโอห์ม-เมตร โดยวัดด้วยวิธีแวนเดอร์เพาว์
Abstract: In this research, a thin film coating system by sputtering technique was designed and constructed. A high voltage D.C. power supply used for generating the electric field between electrodes has a maximum voltage of about 2,000 v. The target cathode was made of a circular sheet of molybdenum with a diameter of 10 cm. and thickness of 0.05 cm. Conventional cover glasses were used as substrates through out this work. In order to protest sputtering at the outer edge and the upper surface of the cathode and also to inhibit possible are discharge, a grounded stainless steel sheet was provided as a shield. Energetic ions for the sputtering process in this experiment were argon ions in the glow discharge. The argon pressure in the vacuum chamber was kept constant by controlling a needle valve. The lowest pressure in the chamber was about 5×10 -4 torr. The speed of coating of molybdenum this film was about 0.5 µm./hr. It was found that the crystal structure of the4 films was not perfect as examined by x – rays diffraction method and the typical resistivity of the film was about 155 µ Ω - m as measured by van der Pavw method.
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. สำนักงานวิทยทรัพยากร
Address: กรุงเทพมหานคร
Email: cuir@car.chula.ac.th
Role: ที่ปรึกษา
Created: 2535
Modified: 2563-06-27
Issued: 2563-06-27
วิทยานิพนธ์/Thesis
application/pdf
URL: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/62847
tha
©copyrights จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
RightsAccess:
ลำดับที่.ชื่อแฟ้มข้อมูล ขนาดแฟ้มข้อมูลจำนวนเข้าถึง วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1 Suchat_su_front_p.pdf 11.89 MB2 2024-07-19 18:19:50
2 Suchat_su_ch1_p.pdf 3.94 MB
3 Suchat_su_ch2_p.pdf 35.14 MB1 2024-07-19 18:20:16
4 Suchat_su_ch3_p.pdf 26.35 MB
5 Suchat_su_ch4_p.pdf 26.96 MB
6 Suchat_su_ch5_p.pdf 3.85 MB
7 Suchat_su_back_p.pdf 2.85 MB
ใช้เวลา
0.038909 วินาที

สุชาติ สุภาพ
Title Contributor Type
ระบบสารสนเทศเพื่อการดูแลนักเรียนในสถาบันการศึกษาขั้นพื้นฐาน
มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี
สุชาติ สุภาพิมพ์
อนันท์ อุ่นศิวิไลย์
วิทยานิพนธ์/Thesis
ระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริง
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
สุชาติ สุภาพ

ขจรยศ อยู่ดี
วิทยานิพนธ์/Thesis
ขจรยศ อยู่ดี
Title Creator Type and Date Create
ผลของโปรไฟล์อุณหภูมิต่อองค์ประกอบและโครงสร้างผลึกของฟิล์มบาง Cu(In, Ga)Se2
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์
จามรี อมรโกศลพันธ์
วิทยานิพนธ์/Thesis
กระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบางแคดเมียมซัลไฟด์ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมี
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Somphong Chatraphorn;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
ไปรมา ดิษฐสมบูรณ์
วิทยานิพนธ์/Thesis
การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
ทวี ดีจะมาลา
วิทยานิพนธ์/Thesis
การเตรียมฟิล์มซิงค์ออกไซด์แบบโปร่งใสและนำไฟฟ้า
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี ;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์
คมกฤษณ์ ปุ่นอุดม
วิทยานิพนธ์/Thesis
การเตรียมและการศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของฟิล์มบางคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี
ชาญวิทย์ จิตยุทธการ
วิทยานิพนธ์/Thesis
การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
ธนากร โอสถจันทร์
วิทยานิพนธ์/Thesis
ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของรอยต่อวิวิธพันธุ์ของเซลล์แสงอาทิตย์ CulnSe2/CdS ชนิดฟิล์มบาง
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี
สุคคเณศ ตุงคะสมิต
วิทยานิพนธ์/Thesis
ฟิล์มบางโปร่งใสนำไฟฟ้า ZnO(AI) เตรียมโดยอาร์เอฟและดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริงแบบตามลำดับ
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี ;โศจิพงศ์ ฉัตราภรณ์
เกษรารัตน์ อักษรรัตน์
วิทยานิพนธ์/Thesis
การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของผลึกเดี่ยว CuIn[subscript 3]Se[subscript 5]
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี ;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์
ราม ติวารี
วิทยานิพนธ์/Thesis
ระบบวัดสมบัติเชิงแสงของสารกึ่งตัวนำควบคุมโดยคอมพิวเตอร์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;ขจรยศ อยู่ดี
ณรงค์ แสงแก้ว
วิทยานิพนธ์/Thesis
การเตรียมฟิล์มบางซิงค์ซัลไฟด์โดยวิธีการเคลือบอาบสารเคมี
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี ;โศจิพงศ์ ฉัตราภรณ์
กิตติยาพร สิงห์สัมพันธ์
วิทยานิพนธ์/Thesis
การเตรียมฟิล์มบางโดยวิธีดีซีแมกนิตรอนสปัตเตอริง
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี
ธนูสิทธิ์ บุรินทร์ประโคน
วิทยานิพนธ์/Thesis
โครงสร้างผลึกและค่าช่องว่างแถบพลังงานของสารประกอบกึ่งตัวนำ Cu2In4Se7
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์
เกรียงไกร วันทอง
วิทยานิพนธ์/Thesis
การศึกษารอยต่อแบบพี-เอ็น โฮโมจังค์ชันของคอปเปอร์อินเดียมไดชีลีไนด์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
กัลยา เอี้ยประเสริฐศักดิ์
วิทยานิพนธ์/Thesis
ระบบซี-วี ควบคุมโดยคอมพิวเตอร์สำหรับศึกษาสมบัติของรอยต่อกึ่งตัวนำ
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
วิชิต ศิริโชติ
วิทยานิพนธ์/Thesis
การเปลี่ยนแปลงตามอุณหภูมิของการดูดกลืนแสงพื้นฐาน ของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ และส่วนหางของเออบาค
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
ธนา สุทธิโอภาส
วิทยานิพนธ์/Thesis
การศึกษาโครงสร้างแถบพลังงานของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ โดยสภาพนำไฟฟ้าเชิงแสง
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
พงษ์ ทรงพงษ์
วิทยานิพนธ์/Thesis
การศึกษารอยต่อแบบโลหะ-ฉนวน-สารกึ่งตัวนำของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
งามนิตย์ วงษ์เจริญ
วิทยานิพนธ์/Thesis
การศึกษาโครงสร้างผลึกของสารประกอบซาลโคไพโรท์กลุ่ม I-III-VI2 โดยใช้ทฤษฎีพันธะและแถบพลังงาน
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
วิรุฬห์ สายคณิต;ขจรยศ อยู่ดี
ประเสริฐ แข่งขัน
วิทยานิพนธ์/Thesis
การเตรียมและการศึกษาสมบัติของสารกึ่งตัวนำ คอปเปอร์อินเดียนไดซีลีไนด์ (CuInSe2)
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
สมพงศ์ ฉัตราภรณ์;ขจรยศ อยู่ดี
ฐิตินัย แก้วแดง
วิทยานิพนธ์/Thesis
ระบบเคลือบฟิล์มบางโดยเทคนิคสปัตเตอริง
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;ขจรยศ อยู่ดี
สุชาติ สุภาพ
วิทยานิพนธ์/Thesis
การเตรียมฟิล์มบาง Cu(ln₁_ₓGaₓ)Se₂ โดยวิธีการระเหยร่วม และการศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์ม
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี;สมพงศ์ ฉัตราภรณ์
ศักดิ์ถาวร พงศ์วณิชยา
วิทยานิพนธ์/Thesis
การศึกษาความเข้าใจและเจตคติต่อการนิเทศการศึกษาของผู้บริหารและครู ในโรงเรียนประถมศึกษาสังกัดสำนักงานคณะกรรมการ การประถมศึกษาแห่งชาติ : การศึกษาเฉพาะกรณีจังหวัดราชบุรี
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;ขจรยศ อยู่ดี
รติพร สุภิรัตน์
วิทยานิพนธ์/Thesis
ผลของพารามิเตอร์ในการสปัตเตอร์ต่อการปลูกฟิล์มบางคอปเปอร์ออกไซด์
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ขจรยศ อยู่ดี;ชาญวิทย์ จิตยุทธการ
ปฐมพงศ์ ชนะนิล
วิทยานิพนธ์/Thesis
Copyright 2000 - 2026 ThaiLIS Digital Collection Working Group. All rights reserved.
ThaiLIS is Thailand Library Integrated System
สนับสนุนโดย สำนักงานบริหารเทคโนโลยีสารสนเทศเพื่อพัฒนาการศึกษา
กระทรวงการอุดมศึกษา วิทยาศาสตร์ วิจัยและนวัตกรรม
328 ถ.ศรีอยุธยา แขวง ทุ่งพญาไท เขต ราชเทวี กรุงเทพ 10400 โทร. โทร. 02-232-4000
กำลัง ออน์ไลน์
ภายในเครือข่าย ThaiLIS จำนวน 28
ภายนอกเครือข่าย ThaiLIS จำนวน 2,445
รวม 2,473 คน

More info..
นอก ThaiLIS = 186,597 ครั้ง
มหาวิทยาลัยราชภัฏ = 507 ครั้ง
มหาวิทยาลัยสังกัดทบวงเดิม = 318 ครั้ง
มหาวิทยาลัยเอกชน = 163 ครั้ง
มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคล = 44 ครั้ง
หน่วยงานอื่น = 6 ครั้ง
สถาบันพระบรมราชชนก = 6 ครั้ง
มหาวิทยาลัยสงฆ์ = 2 ครั้ง
รวม 187,643 ครั้ง
Database server :
Version 2.5 Last update 1-06-2018
Power By SUSE PHP MySQL IndexData Mambo Bootstrap
มีปัญหาในการใช้งานติดต่อผ่านระบบ UniNetHelp


Server : 8.199.134
Client : Not ThaiLIS Member
From IP : 216.73.216.181