แจ้งเอกสารไม่ครบถ้วน, ไม่ตรงกับชื่อเรื่อง หรือมีข้อผิดพลาดเกี่ยวกับเอกสาร ติดต่อที่นี่ ==>
หากไม่มีอีเมลผู้รับให้กรอก thailis-noc@uni.net.th ติดต่อเจ้าหน้าที่เจ้าของเอกสาร กรณีเอกสารไม่ครบหรือไม่ตรง

EFFECTS OF GAMMA RAY IRRADIATION ON STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF CsITl CRYSTALS
ผลของการฉายรังสีแกมมาต่อสมบัติเชิงโครงสร้างและเชิงแสงของผลึก CsITl

Abstract: In this research work, effects of gamma ray irradiation on structural and optical properties of CsI doped with Tl (CsI:Tl), which is a scintillator material used for radiation detector applications, were investigated by field emission scanning electron microscopy (FESEM), X-ray diffraction (XRD), UV-VIS spectroscopy and X-ray luminescence spectroscopy. The CsI:Tl crystals used in this study were grown by a modified homemade Bridgman-Stockbarger technique with CsI powder precursors purities of 99.999% and 99.9% and with the same amount of Tl in form powder of Tl. It is observed that CsI:Tl crystal grown with the 99.999% CsI powder precursor exhibited a colorless crystal ingot, while a use of the 99.9% CsI powder precursor resulted in an orange CsI:Tl crystal ingot. To verify a uniformity of CsI:Tl crystals, the ingots were divided into three parts: the top, middle and bottom of the ingots. Both the CsI:Tl crystals exhibited a poly crystalline, which has a cubic structure with a lattice constant in the range of 0.453-0.456 nm. Noted that only a bottom part of an orange crystal ingot exhibited a lower crystallinity and showed XRD feature, corresponding to calcite (CaCO3). This results in a merging of the Tl-related state and the CsI bandgap for the orange crystal. To avoid an effect from impurity, the middle part of both the crystal was selected to irradiate by gamma ray, showing an increase of grain size, a higher crystallinity and a decrease of conductivity observed by FESEM images. Moreover, a merging of the Tl-related state and the CsI bandgap, which was observed in the orange crystal before a gamma ray irradiation, was observed in both CsI:Tl crystals after gamma ray irradiation of 5 Gy. X-ray luminescence spectra showed a large reduction of luminescence intensity after one day irradiation of the gamma ray and then it recovered back to a similar intensity compared to that of before gamma ray irradiation of 1.0 Gy after 7 days. Furthermore, an efficiency of radiation detection and an energy resolution of both the CsI:Tl scintillator were detected. It is found that with increasing gamma ray irradiation doses up to 5.0 Gy, an efficiency of radiation detection was decreased, while an energy resolution was not significantly different. Noted that the colorless CsI:Tl crystal shows a higher energy resolution than that of the orange crystal. As a result, effects of gamma ray on both the structural and optical properties of CsI:Tl crystals, which depended on an impurity level, were directly affected on a performance of radiation detection.
Abstract: ในงานวิจัยนี้ ผลของการฉายรังสีแกมมาต่อสมบัติเชิงโครงสร้างและสมบัติเชิงแสงของ CsI ที่เจือด้วย Tl (CsI:Tl) ที่จัดเป็นหนึ่งในวัสดุซินทิลเลเตอร์ที่ใช้สำหรับการตรวจวัดรังสี ได้ถูกตรวจสอบด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดชนิดฟิลด์อีมิสชัน (Field emission scanning electron microscopy, FESEM), การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ (X-ray diffraction, XRD), UV-VIS สเปกโตรสโคปี (UV-VIS spectroscopy) และการเปล่งแสงโดยการกระตุ้นด้วยรังสีเอกซ์ (X-ray luminescence spectroscopy) ผลึก CsI:Tl ที่ใช้ในการศึกษาครั้งนี้ถูกปลูกผลึกด้วยเทคนิคบริดจ์แมน-สต็อกบาร์เกอร์ที่ทำการดัดแปลงเอง (modified homemade Bridgman-Stockbarger technique) โดยใช้สารตั้งต้นผง CsI ที่มีความบริสุทธิ์ 99.999% และ 99.9% ร่วมกับผง Tl ที่ใช้ในปริมาณที่เท่ากันสำหรับทุกการปลูกผลึก พบว่าการปลูกผลึกที่ใช้สารตั้งต้นผง CsI ที่มีความบริสุทธิ์ 99.999% แสดงให้เห็นเป็นแท่งผลึกสีใส ในขณะที่การใช้สารตั้งต้นผง CsI ที่มีความบริสุทธิ์ 99.9% ให้ผลึก CsI:Tl เป็นแท่งผลึกสีส้ม เพื่อตรวจสอบความสม่ำเสมอของผลึก CsI:Tl แท่งผลึกได้ถูกแบ่งออกเป็นสามส่วนได้แก่ ส่วนบน ส่วนกลาง และส่วนล่างของแท่งผลึก ผลึก CsI:Tl ทั้งสองแท่งแสดงให้เห็นว่าเป็นผลึกพหุ ซึ่งมีโครงสร้างแบบคิวบิคที่มีขนาดโครงผลึกอยู่ในช่วง 0.453-0.456 นาโนเมตร โดยมีข้อสังเกตว่าชิ้นงานส่วนล่างของแท่งผลึกสีส้มมีความเป็นผลึกต่ำกว่าและยังมีรูปแบบ XRD ที่สอดคล้องกับ แคลไซต์ (CaCO3) ซึ่งส่งผลให้เกิดการรวมกันของสถานะพลังงานที่เกี่ยวข้อง Tl และช่องว่างแถบพลังงานของ CsI สำหรับผลึกสีส้ม เพื่อหลีกเลี่ยงผลกระทบจาก สิ่งเจือปน ชิ้นงานส่วนกลางถูกเลือกสำหรับการฉายรังสีแกมมา หลังการฉายรังสีแกมมาพบว่าขนาดของเกรนใหญ่ขึ้น มีความเป็นผลึกสูงขึ้น และมีการลดลงของสภาพนำไฟฟ้าซึ่งถูกตรวจพบจากรูป FESEM นอกจากนี้ การรวมกันของสถานะพลังงานที่เกี่ยวข้อง Tl และช่องว่างแถบพลังงานของ CsI ที่ถูกสังเกตได้ในผลึกสีส้มก่อนการฉายรังสีแกมมา โดยถูกสังเกตเห็นในผลึกทั้งสองหลังการฉายรังสีด้วยปริมาณ 5.0 Gy การเปล่งแสงโดยการกระตุ้นด้วยรังสีเอกซ์แสดงให้เห็นถึงการลดลงของความเข้มการเปล่งแสงหลังการฉายรังสีแกมมา 1 วันและความเข้มแสงกลับคืนจนใกล้เคียงกับความเข้มแสงก่อนฉายรังสีแกมมาด้วยปริมาณ 1.0 Gy หลังผ่านมาแล้ว 7 วัน ยิ่งไปกว่านั้น ประสิทธิภาพการตรวจวัดรังสี และกำลังแยกพลังงาน ของซินทิลเลเตอร์ทั้งสองได้ถูกทำการตรวจวัด พบว่า ด้วยการเพิ่มขึ้นของปริมาณการฉายรังสีแกมมาจนถึง 5.0 Gy นั้น ประสิทธิภาพของการตรวจวัดรังสีลดลง ขณะที่กำลังแยกพลังงานไม่แตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญ โดยมีข้อสังเกตว่า ผลึกสีใสนั้นจะแสดงกำลังแยกพลังงานที่สูงกว่าผลึกส้ม ด้วยเหตุผลดังกล่าว ผลของการฉายรังสีแกมมาต่อสมบัติโครงสร้างและสมบัติเชิงแสงของผลึก CsI:Tl ซึ่งพบว่าขึ้นกับปริมาณของสิ่งเจือปน ส่งผลกระทบโดยตรงต่อสมรรถนะของการตรวจวัดรังสี
Chulalongkorn University. Office of Academic Resources
Address: BANGKOK
Email: cuir@car.chula.ac.th
Role: advisor
Role: advisor
Created: 2017
Modified: 2019-09-02
Issued: 2019-09-02
วิทยานิพนธ์/Thesis
application/pdf
URL: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/59979
eng
DegreeName: Master of Science
Descipline: Physics
©copyrights Chulalongkorn University
RightsAccess:
ลำดับที่.ชื่อแฟ้มข้อมูล ขนาดแฟ้มข้อมูลจำนวนเข้าถึง วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1 5772239623.pdf 3.49 MB
ใช้เวลา
0.03455 วินาที

Poramin Sintham
Title Contributor Type
EFFECTS OF GAMMA RAY IRRADIATION ON STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF CsITl CRYSTALS
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Poramin Sintham
Sakuntam Sanorpim
Phannee Saengkaew
วิทยานิพนธ์/Thesis
Sakuntam Sanorpim
Title Creator Type and Date Create
Structural and optical properties analysis of lattice-matched In[subscript x]Ga[subscript 1-x]P[subscript 1-y]N[aubscript y]/GaP single quantum well grown by MOVPE
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sukkaneste Tungasmita;Sakuntam Sanorpim
Dares Kaewket
วิทยานิพนธ์/Thesis
Investigation of structural defects in InGaAs buffer layers grown on GaAs by transmission electron microscopy
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim
Pornsiri Kongjaeng
วิทยานิพนธ์/Thesis
Optical and structural characterization of GaAsN thin film and GaAsN/GaAs multiquantum well with high nitrogen concentration grown by MOVPE
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim;Kajornyod Yoodee
Pawinee Klangtakai
วิทยานิพนธ์/Thesis
Structural analysis of cubic InN films grown by molecular beam epitaxy
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim
Saman Kuntharin
วิทยานิพนธ์/Thesis
Raman scattering and photoluminescence of GaAsN thin film on GaAs
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sathon Vijarnwannaluk;Sakuntam Sanorpim
Panatda Panpech
วิทยานิพนธ์/Thesis
Diffusion model for selective area growth of cubic GaN under MOVPE process
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim
Pitsiri Sukkaew
วิทยานิพนธ์/Thesis
Growth of multifunctional zirconium nitride thin films by reactive DC magnetron sputtering
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sukkaneste Tungasmita;Sakuntam Sanorpim
Jirawan Saenton
วิทยานิพนธ์/Thesis
Comparision of structural property of cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (311) and on (001) GaAs substrates
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim
Nuttapong Discharoen
วิทยานิพนธ์/Thesis
Structural characterization of cubic GaN films using transmission electron microscopy
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim;Boonchoat Paosawatyanyong
Surang Sumnavadee
วิทยานิพนธ์/Thesis
MOVPE growth and characterization of dilute III-(III)-V-nitride semiconductor : ingapn on GaAs
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;Sakuntam Sanorpim;Onabe Kentaro;Sukkaneste Tungasmita
Dares Kaewket
วิทยานิพนธ์/Thesis
Nanostructural analysis of cubic GaN and cubic InN films by transmission electron microscopy
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;Sakuntam Sanorpim;Chanchana Thanachayanont
Jamreonta Parinyataramas
วิทยานิพนธ์/Thesis
Structural property analysis of GaN grown on GaAs by movpe using transmission electron microscopy
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim;Kajornyod Yoodee
Siripen Suandon
วิทยานิพนธ์/Thesis
Microstructural assessment of cubic InN film grown by molecular beam epitaxy
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
;Sakuntam Sanorpim;Chanchana Thanachayanont
Papaporn Jantawongrit
วิทยานิพนธ์/Thesis
MORPHOLOGICAL EVOLUTION, GROWTH MECHANISM AND STRUCTURAL PHASE TRANSFORMATION OF ELO GaN NANOSTRUCTURES ON GaAs (001)
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim;Chanchana Thanachayanont
Pattana Suwanyangyaun
วิทยานิพนธ์/Thesis
CRYSTAL STRUCTURE DETERMINATION OF GaN ON GaAs (110) SUBSTRATE GROWN BY MOVPE
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim
Pitshaya Praigaew
วิทยานิพนธ์/Thesis
EFFECTS OF THE In AND N DISTRIBUTION ON NANO-SCALE STRUCTURES IN NEARLY LATTICE-MATCHED InGaPN ON GaAs (001) GROWN BY MOVPE
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim
Phongbandhu Sritonwong
วิทยานิพนธ์/Thesis
EFFECTS OF GAMMA RAY IRRADIATION ON STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF CsITl CRYSTALS
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim;Phannee Saengkaew
Poramin Sintham
วิทยานิพนธ์/Thesis
Effects of nitrogen addition on vibrational property of high nitrogen-content GaPN thin films
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim;Songphol Kanjanachuchai
Noppadon Toongyai
วิทยานิพนธ์/Thesis
Improving quality of CVD graphene grown on the copper foil by physical polishing electropolishing and thermal annealing pretreatment processes
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim;Warakorn Yanwachirakul
Methawut Sirisom
วิทยานิพนธ์/Thesis
Phannee Saengkaew
Title Creator Type and Date Create
EFFECTS OF GAMMA RAY IRRADIATION ON STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF CsITl CRYSTALS
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Sakuntam Sanorpim;Phannee Saengkaew
Poramin Sintham
วิทยานิพนธ์/Thesis
Copyright 2000 - 2026 ThaiLIS Digital Collection Working Group. All rights reserved.
ThaiLIS is Thailand Library Integrated System
สนับสนุนโดย สำนักงานบริหารเทคโนโลยีสารสนเทศเพื่อพัฒนาการศึกษา
กระทรวงการอุดมศึกษา วิทยาศาสตร์ วิจัยและนวัตกรรม
328 ถ.ศรีอยุธยา แขวง ทุ่งพญาไท เขต ราชเทวี กรุงเทพ 10400 โทร. โทร. 02-232-4000
กำลัง ออน์ไลน์
ภายในเครือข่าย ThaiLIS จำนวน 15
ภายนอกเครือข่าย ThaiLIS จำนวน 10,938
รวม 10,953 คน

More info..
นอก ThaiLIS = 503,989 ครั้ง
มหาวิทยาลัยสังกัดทบวงเดิม = 128 ครั้ง
มหาวิทยาลัยราชภัฏ = 97 ครั้ง
มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคล = 29 ครั้ง
มหาวิทยาลัยสงฆ์ = 13 ครั้ง
มหาวิทยาลัยเอกชน = 3 ครั้ง
หน่วยงานอื่น = 3 ครั้ง
รวม 504,262 ครั้ง
Database server :
Version 2.5 Last update 1-06-2018
Power By SUSE PHP MySQL IndexData Mambo Bootstrap
มีปัญหาในการใช้งานติดต่อผ่านระบบ UniNetHelp


Server : 8.199.134
Client : Not ThaiLIS Member
From IP : 216.73.216.104