คอนเวอร์เตอร์แบบพุช-พูลเรโซแนนซ์ที่มีอัตราการขยายสูงสำหรับแหล่งพลังงานขนาดเล็ก

A high voltage gain push - pull resonant converter for small energy sources.

Name: อนุศักดิ์ บิสลาม

keyword: วงจรแปลงผันไฟฟ้า

ThaSH: วงจรไฟฟ้า -- การวิเคราะห์

ThaSH: อินเวอร์เตอร์

Abstract: วิทยานิพนธ์ฉบับนี้จึงขอนำเสนอคอนเวอร์เตอร์แบบพุช-พูลเรโซแนนซ์ที่มีอัตราการขยายสูงสำหรับแหล่งพลังงานขนาดเล็ก โดยคอนเวอร์เตอร์แบบพุช-พูลทำงานภายใต้สภาวะแบบซอฟท์สวิตช์ ที่ความถี่คงที่ 110 กิโลเฮิรตซ์ เพื่อลดการสูญเสียจากการเปลี่ยนสภาวะการทำงานของสวิตช์ ในขณะที่คอนเวอร์เตอร์แบบพุช-พูลทำงานนั้น จะรับแรงดันกระแสตรงด้านเข้า 12 โวลต์ ผ่านหม้อแปลงความถี่สูงที่ต่อร่วมกับชุดเรโซแนนซ์และวงจรเรียงกระแสเต็มคลื่นแบบบริดจ์เพื่อทำหน้าที่แปลงแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับความถี่สูงแปลงเป็นแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงแรงดันสูงขนาด 350 โวลต์ ที่กำลังไฟฟ้าด้านออก 200 วัตต์ ในส่วนชุดเรโซแนนซ์ของวงจรที่นำเสนอ ได้ใช้ประโยชน์ของตัวเหนี่ยวนำรั่วไหลของหม้อแปลงความถี่สูงที่ต่ออนุกรมกับตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์ นอกจากนั้นการทำงานของวงจรเรียงกระแสเต็มคลื่นจะทำงานภายใต้สภาวะกระแสศูนย์เพื่อเป็นการเพิ่มประสิทธิภาพของระบบให้มีค่าสูงขึ้น และได้มีการวิเคราะห์แสดงถึงผลกระทบที่เกิดขึ้นของตัวเก็บประจุแฝงของไดโอดในวงจรเรียงกระแสเต็มคลื่นแบบบริดจ์ที่มีต่อจุดทำงานในสภาวะ เรโซแนนซ์ และผลกระทบโดยตรงต่อแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงด้านออกของคอนเวอร์เตอร์แบบพุช-พูล ในการทดลองจะใช้ข้อมูลทางเทคนิคจากไดโอดเพียง 1 ตัว ในการออกแบบ ผลการจำลองและการทดลองสามารถยืนยันการออกแบบที่นำเสนอ โดยผลทั้ง 2 มีความสอดคล้องกับทฤษฎีการวิเคราะห์

Abstract: This paper presents a high-voltage gain zero-current switching (ZCS) push–pull resonant converter for small energy sources. The converter provides a high voltage from a 12-VDC battery via isolated transformer and full-bridge rectifier. The main switches of the push–pull and full-bridge diode rectifier operate under ZCS condition. The advantage of this technique is the use of leakage inductance for ZCS operation of the power switch and in designing the secondary side of a resonant tank. A prototype high-voltage gain push–pull resonant converter was built and operated at a 110-kHz fixed switching frequency, 350-VDC output voltage, and 200-W output power to analyse the effect of parasitic junction capacitance of the full-bridge rectifier, which significantly affects the operating point of the resonant tank and the voltage. This paper introduces the implementation and design using the data of a single diode to calculate the parameters. The simulation and experimental results verified the proposed and designed circuits. Both results agreed with the theoretical analysis.

มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าพระนครเหนือ. สำนักหอสมุดกลาง

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: library@kmutnb.ac.th

Name: วิบูลย์ ชื่นแขก

Role: ที่ปรึกษาดุษฎีนิพนธ์

Email : vck@kmutnb.ac.th

Name: อิษฎา บุญญาอรุณเนตร

Role: ที่ปรึกษาดุษฎีนิพนธ์

Created: 2558

Modified: 2561-02-16

Issued: 2560-09-06

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

tha

DegreeName: ปรัชญาดุษฎีบัณฑิต

Level: ปริญญาเอก

Descipline: วิศวกรรมไฟฟ้า

Grantor: มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าพระนครเหนือ

©copyrights มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าพระนครเหนือ

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	B16055470.pdf	3.24 MB	16	2022-12-23 20:00:29

ใช้เวลา

0.028811 วินาที