ผลของอุณหภูมิการอบอ่อนที่มีต่อสมบัติของฟิล์มบางคอปเปอร์อลูมิเนียมออกไซด์ที่เตรียมโดยวิธี รีแอทีฟ ดีซี แมกนีตรอน โค-สปัตเตอริง

Effect of annealing temperature on properties of CuAlO2 thin films prepared by reactive dc magnetron co-sputtering method

Name: พลากร ขวัญสูงเนิน

keyword: ฟิล์มบาง

; คอปเปอร์อลูมิเนียมออกไซด์

; โค-สปัตเตอริง

Abstract: ฟิลม์ บางคอปเปอร์อลูมิเนียมออกไซดถ์ถูกเคลือบบนแผน่ ซิลิกอน ดว้ยเทคนิครีแอกทีฟ ดีซี แมกนีตรอน โค-สปัตเตอริงโดยใหค้วามร้อนแก่วสั ดุรองรับขณะเคลือบฟิลม์ ที่อุณหภูมิ200 องศาเซลเซียส เป็ นเวลา 60 นาทีหลงัจากน้นัอบอ่อนในบรรยากาศปกติที่อุณหภูมิ800 , 900 และ 1000 องศาเซลเซียส เป็ นเวลา 60 นาทีเพื่อศึกษาผลของอุณหภูมิการอบอ่อนที่มีต่อสมบตัิของฟิลม์ บางคอปเปอร์อลูมิเนียมออกไซด์ โดยวิเคราะห์โครงสร้างผลึก ความหยาบผิว องค์ประกอบธาตุ ลกัษณะพ้ืนผวิ และสภาพต้านทานไฟฟ้าด้วยเทคนิค XRD, AFM, EDX, FESEM และ Four-point probe ตามลำดับ จากผลการศึกษาพบว่า ฟิลม์ ที่เคลือบปกติอยู่ในรูปแบบอสัณฐาน ในขณะที่ฟิลม์ ซึ่ง ผ่านการอบอ่อนพบว่า เกิดพีคของ 2H-CuAlO2 ที่ ระนาบ (100) และ (101) พีคของ 3R-CuAlO2 ที่ ระนาบ (0111) นอกจากน้นั ยงัพบพีคของ CuAl2O4 , CuO และ Al2O3อีกด้วย ความหนาของฟิ ล์ม เพิ่มข้ึนเมื่ออุณหภูมิอบอ่อนเพิ่มข้ึน ความหยาบผวิมีค่าอยู่ในช่วง 2.63-5.97 นาโนเมตร องค์ประกอบธาตุของฟิ ล์มที่เคลือบปกติและอบที่อุณหภูมิ 800 และ 900 องศาเซลเซียส มีสัดส่วนที่ ใกล้เคียงกัน แต่เมื่ออุณหภูมิเพิ่มเป็น 1000 องศาเซลเซียส องค์ประกอบธาตุในเน้ือฟิลม์ มีการ เปลี่ยนแปลงไปอย่างมาก และขนาดของเกรนโดยเฉลี่ยมีขนาดเพิ่มข้ึนตามอุณหภูมิในการอบอ่อน สภาพต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มที่เคลือบปกติมีค่าต่า ที่สุด อยู่ในช่วง 2.81-3.57 Ω∙cm

Abstract: Copper aluminium oxide (CuAlO2 ) thin films were deposited on Si (100) by reactive dc magnetron co-sputtering technique under substrate temperature of 200 °C for 60 minutes. After the deposition, specimens were annealed at temperature of 800, 900 and 1000 °C in the air ambience for 60 minutes. The effect of annealing temperature on properties of CuAlO2 thin films were studied. Crystal structure, roughness, elemental composition and surface morphology were determined by using XRD, AFM, EDX,FE-SEM and Four-point probe techniques, respectively. The XRD results indicated that as-deposited films were amorphous while postannealling films showed that 2H-CuAlO2 peaks at (100) and (101), 3R-CuAlO2 peak at (0111). In addition, the peak of CuAl2O4 , CuO and Al2O3 can be detected as well. The film thickness increases with increasing annealing temperature. The roughness of thin films were in the range of 2.63 -5.97 nm. Elemental composition of the as-deposited film and postannealed films at temperature of 800 and 900 °C have a similar propotion, but when the annealing temperature was increase to 1000 °C affect the elemental composition has changed dramatically and the average grain size increases with increase of annealing temperature. Resistivity of the as-deposited film is the lowest in the range of 2.81-3.57 Ω∙cm.

มหาวิทยาลัยบูรพา. สำนักหอสมุด

Address: ชลบุรี

Email: buulibrary@buu.ac.th

Name: สุรสิงห์ ไชยคุณ

Role: อาจารย์ที่ปรึกษาหลัก

Created: 2559

Modified: 2565-08-02

Issued: 2560-03-27

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

tha

DegreeName: วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต

Level: ปริญญาโท

Descipline: ฟิสิกส์

Grantor: มหาวิทยาลัยบูรพา

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	57912246.pdf	8.54 MB	1	2024-04-10 14:12:56

ใช้เวลา

0.013086 วินาที