การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางไทเทเนียมโครเมียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยวิธีแอคตีฟดีซีแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง

Preparation and characterization of TiCrN thin films deposited by reactive dc magnetron Co-sputtering

Name: อำพล ฑีฆบุตร

keyword: ฟิล์มบาง

; ไทเทเนียมโครเมียมไนไตรด์

; รีแแอคตีฟดีซีแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง

Abstract: ฟิล์มบางไทเทเนียมโครเมียมไนไตรด์ (TiCrN) เคลือบบนกระจกสไลด์และซิลิกอน ด้วยวิธีแอคตีฟดีซีแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง เมื่อแปรค่าอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนในช่วง 2 sccm ถึง 6 sccm และแปรค่ากระแสไฟฟ้าของไทเทเนียมในช่วง 300 mA ถึง 900 mA ฟิล์มที่เคลือบได้ ถูกนำไปวิเคราะห์ด้วยเทคนิค XRD, AFM, EDS และ FE-SEM ผลการศึกษาพบว่า โครงสร้าง ของฟิล์มเปลี่ยนไปตามอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนและกระแสไฟฟ้าของเป้าไทเทเนียมโดย (1) กรณีแปรค่าอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน ฟิ ล์มที่เคลือบได้มีโครงสร้างผลึกของไทเทเนียมโครเมียม ไนไตรด์ระนาบ (111), (200) และ (220) เมื่ออัตราไหลแก๊สไนโตรเจนเพิ่มขึ้นพบว่า ค่าคงที่แลตทิซ มีค่าอยู่ในช่วง 4.1640 Å - 4.1656 Å ขณะที่ขนาดผลึกมีค่าเพิ่มขึ้นจาก 33.5 nm เป็น 59.8 nm ส่วนความหนามีค่าลดลงจาก 767 nm เป็น 483 nm โดยองค์ประกอบทางเคมีของฟิล์มแปรค่าตาม อัตราไหลแก๊สไนโตรเจน และ (2) กรณีแปรค่ากระแสไฟฟ้าของเป้าไทเทเนียม ฟิ ล์มที่เคลือบได้มี โครงสร้างผลึกของไทเทเนียมโครเมียมไนไตรด์ระนาบ (111), (200) และ (220) โครงสร้างและ องค์ประกอบธาตุของฟิ ล์มแปรค่าตามกระแสไฟฟ้ าของเป้าไทเทเนียมทั้งนี้เมื่อกระแสไฟฟ้าของ เป้าไทเทเนียมเพิ่มขึ้นพบว่า ค่าคงที่แลตทิซมีค่าเพิ่มขึ้นจาก 4.1394 Å เป็น 4.1618 Å ขณะที่ขนาด ผลึกมีค่าลดลง จาก 39.9 nm เป็น 33.5 nm ส่วนความหนาของฟิ ล์มมีค่าเพิ่มขึ้นจาก 397 nm เป็น 615 nm โดยองค์ประกอบทางเคมีของฟิล์มแปรค่าตามกระแสไฟฟ้าของเป้าไทเทเนียม

Abstract: Titatium chromium nitride (TiCrN) thin films were deposited on glass slide and Si by reactive dc magnetron co-sputtering method with different N2 gas flow rates ranging from 2 sccm to 6 sccm, and titanium sputtering current ranging from 300 mA to 900 mA. The as-deposited films were characterized by XRD, AFM, EDS and FE-SEM. The results showed that the structure of the as-deposited films varied with the N2 gas flow rates and titanium sputtering current. (1) In case of varied N2 gas flow rate, the as-deposited films were composed of titanium chromium nitride with (111), (200) and (220) planes. When the N2 gas flow rate increased, it was found that the lattice constant was in range of 4.1640 Å - 4.1656 Å, while the crystal size increased from 33.5 nm to 59.8 nm, while the film’s thickness decreased from 767 nm to 483 nm. The elemental composition of the as-deposited films varied with the N2 flow rate and (2) In case of varied titanium sputtering current, the as-deposited films were composed of titanium chromium nitride with (111), (200) and (220) planes. The films structure and elemental composition varied with the Ti current. When the Ti current increased, it was found that the lattice constant increased from 4.1394 Å to 4.1618 Å, while the crystal size decreased from 39.9 nm to 33.5 nm, while the film’s thickness increased from 397 nm to 615 nm. The elemental composition of the as-deposited films varied with the Ti current.

มหาวิทยาลัยบูรพา. สำนักหอสมุด

Address: ชลบุรี

Email: buulibrary@buu.ac.th

Name: นิรันดร์ วิทิตอนันต์

Role: อาจารย์ที่ปรึกษาหลัก

Created: 2559

Modified: 2565-07-26

Issued: 2559-07-29

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

tha

DegreeName: วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต

Level: ปริญญาโท

Descipline: ฟิสิกส์

Grantor: มหาวิทยาลัยบูรพา

©copyrights มหาวิทยาลัยบูรพา

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	56910070.pdf	8.2 MB	3	2024-04-10 14:11:37

ใช้เวลา

0.019302 วินาที