Investigation on one dimensional device simulation of organic light emtting devices

การศึกษาแบบจำลองอุปกรณ์ของสิ่งประดิษฐ์สารอินทรีย์เปล่งแสง

Name: Kanchana Sivalertporn

LCSH: Hopping conduction

LCSH: Semiconductors -- Mathematical models

Abstract: The carrier transports in single layer and multilayer organic devices were sim- ulated by hopping and drift{di®usion models. Both models include carrier injection, carrier transport, recombination, and image force e®ect. The current density was calcu- lated at various applied voltages. It was found that the results of single layer devices from both models were relatively similar at low voltage. We can derive the discrete master equation for both models in similar forms for the hopping and continuity equations. The tunneling process is less important; however, the di®erent tunneling current boundary conditions can lead to a di®erence in the calculated current density and carrier density at high voltage. The e®ect of carrier mobility and energy level of insert layer was studied in multilayer devices. In the drift{di®usion model, the mobility di®erence had no e®ect on the boundary condition at the organic/organic interface. In contrast, the energy level shift leads to the additional boundary condition and the discontinuity of carrier density at the internal interface. The results from both models were quite similar at low voltage, however there was a slight di®erence in the current density due to the di®erent current boundary conditions at high voltage. The tunneling process in the hopping model strongly dominated in a device with low mobility layer. Additionally, the balance of electron and hole was considered in three{layer structure of organic light emitting device. The results showed that it can enhance the recombination current.

Abstract: ในงานวิจัยนี้ได้จำลองแบบการเคลื่อนที่ของพาหะในอุปกรณ์สารอินทรีย์แบบชั้นเดียว และหลายชั้นโดยใช้แบบจำลองฮอปปิง และการขับแพร่ โดยแบบจำลองทั้งสองได้รวมกระบวน การนำไฟฟ้าแบบการฉีดของพาหะ, การเคลื่อนที่ของพาหะในอุปกรณ์, การรวมตัวของพาหะ, และผลของแรงจินตภาพ พบว่าผลลัพธ์ของกรณีอุปกรณ์แบบชั้นเดียวที่ได้จากแบบจำลองทั้ง สองที่ความต่างศักย์ไฟฟ้าค่าต่างๆ มีความคล้ายคลึงกันมากโดยในงานวิจัยนี้ได้พิสูจน์ความ สัมพันธ์ของสมการฮอปปิงให้มีรูปแบบสมการที่เหมือนกับสมการความต่อเนื่องที่อยู่ในรูปไม่ต่อ เนื่อง และกระบวนการทะลุผ่านไม่มีผลต่อการเคลื่อนที่ของพาหะ อย่างไรก็ตาม ความหนาแน่น กระแสไฟฟ้าและความหนาแน่นของพาหะที่คำนวณได้จากแบบจำลองทั้งสองมีค่าแตกต่างกันที่ ความต่างศักย์สูงๆ เนื่องจากค่าเงื่อนไขขอบเขตของกระแสไฟฟ้าที่แตกต่างกัน ได้ศึกษาผลของค่าความคล่องตัวของพาหะและระดับพลังงานในอุปกรณ์แบบหลายชั้นพบว่าในแบบจำลองแบบขับแพร่ ความแตกต่างของค่าความคล่องตัวของพาหะไม่มีผลต่อเงื่อน ไขขอบเขตที่รอยต่อระหว่างสาร แต่เมื่อระดับพลังงานของสารมีค่าไม่เท่ากัน มีผลทำให้มีเงื่อน ไขขอบเขตที่รอยต่อระหว่างสารและเกิดความไม่ต่อเนื่องของความหนาแน่นของพาหะโดยผล ลัพธ์ที่ได้จากแบบจำลองทั้งสอบยังคงคล้ายคลึงกันที่ค่าความต่างศักย์ไฟฟ้าต่ำๆ แต่เมื่อความ ต่างศักย์ไฟฟ้ามีค่าสูงขึ้น ความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าของแบบจำลองทั้งสองมีความแตกต่างกัน เล็กน้อย เนื่องจากความแตกต่างของเงื่อนไขขอบเขตเช่นเดียวกับอุปกรณ์แบบชั้นเดียว อย่างไร ก็ตาม สำหรับอุปกรณ์ซึ่งประกอบด้วยชั้นที่มีค่าความคล่องตัวของพาหะน้อย พบว่า กระบวนการ ทะลุผ่านมีผลทำให้ความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าที่ได้จากทั้งสองแบบจำลองมีค่าแตกต่างกันมาก นอกจากนี้ในกรณีอุปกรณ์สารอินทรีย์เปล่งแสงแบบ 3 ชั้น ความสมดุลระหว่างอิเล็กตรอนและ โฮลทำให้เกิดการรวมตัวของพาหะได้มากขึ้น

Mahidol University

Address: NAKHON PATHOM

Email: liwww@mahidol.ac.th

Name: Tanakorn Osotchan

Role: Thesis Advisors

Created: 2007

Modified: 2553-06-19

Issued: 2010-06-09

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

CallNumber: TH K16i 2007

eng

DegreeName: Master of Science

Level: Master's Degree

Descipline: Physics

Grantor: Mahidol University

©copyrights Mahidol University

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	4736511.pdf	1.05 MB	35	2025-08-05 09:11:13

ใช้เวลา

0.324213 วินาที