การพัฒนาและการถอดแบบจำลองทางไฟฟ้าของเอ็นมอสเฟต 0.5 ไมครอน : รายงานการวิจัยฉบับสมบูรณ์

The development and electrical extraction of 0.5 micron NMOSFETs

Name: รังสรรค์ เมืองเหลือ

Email : rangson.mu@kmitl.ac.th

ThaSH: อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ -- แบบจำลอง -- วิจัย

ThaSH: ซิลิกอน -- วิจัย

Abstract: งานนี้ได้นําเสนอการพัฒนาและการถอดแบบจําลองทางไฟฟ้าของเอ็นมอสเฟท 0.5 ไมครอน เริ่มตั้งแต่การจําลองกระบวนการสร้างเอ็นมอสโดยใช้โปรแกรม Sentaurus TCAD เพื่อศึกษาคุณลักษณะทางไฟฟ้า ขั้นตอนที่สอง นําผลจากการจําลองกระบวนการสร้างที่น่าสนใจมาเป็นเงื่อนไขที่ใช้สร้างลงบนแผ่นฐานรองซิลิคอน หลังจากทําการสร้างเอ็นมอสเฟทตามเงื่อนไข แล้วทําการวัดคุณลักษณะทางไฟฟ้า ในเงื่อนไขที่บ่อแยกชนิดพี ค่าปริมาณโดส 1×10¹² cm¯² ค่าปริมาณโดสการยิงฝังประจุสําหรับ การปรับแรงดันขีดเริ่ม 1.8×10¹² cm¯² และค่าปริมาณโดสการยิงฝังประจุสําหรับการป้องกันพันช์ทรู 3×10¹² cm¯² โดยเอ็นมอสเฟทมีค่าแรงดันขีดเริ่ม 0.693 V ที่ค่ากระแสเดรนย่านอิ่มตัว (ID(sat)) 403 µA/µm ที่ VDS=VGS= 3.3 V ขั้นตอนสุดท้าย การถอดแบบจําลองพารามิเตอร์ระดับ 3

สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: Lifelong@kmitl.ac.th

Name: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. คณะวิศวกรรมศาสตร์

Role: ผู้ให้ทุน

Created: 2560

Modified: 2565-07-12

Issued: 2565-07-12

งานวิจัย/Research report

application/pdf

tha

©copyrights สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	RC00363.pdf	4.14 MB	1	2022-07-12 13:14:24

ใช้เวลา

0.031646 วินาที