กระบวนการสังเคราะห์ผลึกเพชรเอ็กทรินซิค ด้วยวิธี HFCVD โดยการเติมอะตอมสารเจือโบรอนและฟอสฟอรัส

Synthesis of extrinsic diamond crystal HFCVD and addition of boron and phosphorus impurities

Name: ประเสริฐ จันเทพ

Organization : สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง.คณะวิศวกรรมศาสตร์

ThaSH: โบรอน

ThaSH: ฟอสฟอรัส

ThaSH: อะตอม

ThaSH: Diamonds -- Synthesis

ThaSH: Boron

ThaSH: Phosphorus

ThaSH: Atoms

ThaSH: ผลึกเพชรเอ็กทรินซิค -- การสังเคราะห์

ThaSH: วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์ -- วิทยานิพนธ์

ThaSH: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สาขาวิชาวิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์ -- วิทยานิพนธ์

Abstract: ในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้เป็นการนำเสนอกระบวนการสังเคราะห์ผลึกเพชรเอ็กทรินซิค จากการสังเคราะห์ด้วยวิธี Hot Filament Chemical Vapor Deposition (HFCVD) โดยจะทำการสังเคราะห์ผลึกเพชรชนิดพีจากการเติมอะตอมสารเจือโบรอน และจะทำการสังเคราะห์ผลึกเพชรชนิดเอ็นจากการเติมอะตอมสารเจือฟอสฟอรัส จากการวิเคราะห์ด้วยเทคนิค Raman Spectroscopy แสดง ตำแหน่งจุดยอดกราฟ 1332 cm¯¹ ผลึกเพชรที่สังเคราะห์ได้นั้นมีขนาดใหญ่มากกว่า 2 มิลลิเมตร จากการยืนยันด้วยภาพถ่าย Scanning Electron Microscopy (SEM) จากการวิเคราะห์ผลึกเพชรชนิดพีด้วย Energy Dispersive X-ray spectrometer (EDX) จะได้ความสัมพันธ์ระหว่างธาตุเชิงปริมาณกับอัตราส่วนความเข้มข้น พบว่าปริมาณโบรอนค่าเท่ากับ 1.564 4.884 7.928 และ 11.052 wt% ตามลำดับ มีแนวโน้มเพิ่มขึ้นตามค่าอัตราส่วนความเข้มข้น (B/C) ที่มากขึ้น ในส่วนของผลึกเพชรชนิดเอ็นนั้นพบว่า เมื่ออัตราส่วนความเข้มข้น (P/C) ที่มากขึ้น ปริมาณของฟอสฟอรัสมีค่าเท่ากับ 1.318 4.698 7.786 และ 10.924 wt% ตามลำดับ มีแนวโน้มที่เพิ่มขึ้นตามไปด้วย การวิเคราะห์ชนิดของพาหะส่วนมากของผลึกเพชรชนิดพีที่อัตราส่วนความเข้มข้น (B/C) ค่าต่าง ๆ ด้วยวิธี Hot-point probe พบว่าพาหะส่วนมากของผลึกเพชรนั้นเป็นโฮล จึงสามารถยืนยันได้ว่าเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดพี และในส่วนของผลึกเพชรชนิดเอ็นที่อัตราส่วนความเข้มข้น (P/C) ที่ต่างๆ พบว่าพาหะส่วนมากนั้น เป็นอิเล็กตรอนทำให้สามารถยืนยันได้ว่าเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น ในการวิเคราะห์คุณลักษณะกระแส และแรงดันของผลึกเพชรชนิดพีจะได้ความสัมพันธ์ระหว่างค่าความต้านของผลึกเพชรชนิดพีกับอัตราส่วนความเข้มข้นพบว่า เมื่ออัตราส่วนความเข้มข้น (B/C) ที่เพิ่มขึ้น ค่าความต้านทานมีค่าเท่ากับ 877.19 kΩ, 595.23 kΩ, 355.87 kΩ และ 104.49 kΩ ตามลำดับซึ่งมีค่าลดลง สำหรับผลึกเพชรชนิดเอ็นนั้นพบว่า มีค่าความต้านทานที่ได้จะมีค่าเท่ากับ 892.85 kΩ, 602.40 kΩ, 373.13 kΩ และ 106.26 kΩ ตามลำดับซึ่งมีค่าลดลง เมื่ออัตราส่วน (P/C) เพิ่มมากขึ้น ทำให้ผลึกเพชรที่สังเคราะห์ขึ้น ทั้งสองชนิดนั้นมีคุณสมบัติไฟฟ้าที่ดีขึ้น

สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: Lifelong@kmitl.ac.th

Name: นรินทร์ อติวงศ์แสงทอง

Role: อาจารย์ที่ปรึกษาวิทยานิพนธ์

Email : narin.at@kmitl.ac.th

Created: 2560

Modified: 2562-05-25

Issued: 2562-05-25

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

CallNumber: EThesis

tha

DegreeName: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต (วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์)

Level: ปริญญาโท

Descipline: วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์

Grantor: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง

©copyrights สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	Fulltext Prasert Chanthep.pdf	10.4 MB	7	2021-02-06 22:05:23

ใช้เวลา

0.02839 วินาที