การศึกษาผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์

A study of ohmic contacts to gallium arsenide

Name: สมชัย รัตนธรรมพันธ์

ThaSH: แกลเลียมอาร์เซไนด์

ThaSH: ผิวสัมผัสโอห์มมิก

Abstract: จุดมุ่งหมายของการวิจัยนี้เพื่อศึกษาพื้นฐานของวิธีการสร้างผิวสัมผัสโอห์มมิกแกลเลียมอาร์เซไนด์ ผลการทดลองพบว่าผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์ชนิดเอ็นใช้โครงสร้าง Ni (200 Å/Au-Ge (300 Å)/GaAS (n+≃3x10¹⁸/ลบ.ซม.) มีค่าความต้านทานจำเพาะผิวสัมผัสต่ำสุด 3.36x10⁻⁶ โอห์ม-ตร.ซม. เมื่อได้ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิ 475 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 นาที และผิวสัมผัสโอห์มมิกของแกลเลียมอาร์เซไนด์ชนิดพีในโครงสร้าง Au-Zn (200 Å)/GaAS p+2x10¹⁸/ลบ.ซม.) มีค่าความต้านทานจำเพาะผิวสัมผัสต่ำสุด คือ 8.22x10⁻⁵ โอห์ม-ตร.ซม. เมื่อได้ผ่านการแอนนีลที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 6 นาที ตัวอย่างที่ผ่านการแอนนีลในเงื่อนไขที่เหมาะสมจะมีลักษณะสมบัติกระแส-แรงดันของผิวสัมผัสเป็นเชิงเส้น ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นอิทธิพลองเวลาและอุณหภูมิที่ใช้ในการแอนนีล สุดท้ายนี้ของการวิจัยได้นำผลที่ได้จากการทดลองไปประยุกต์ใช้งานในการสร้างไดโอดที่ทำจากแกลเลียมอาร์เซไนด์ เพื่อสาธิตประโยชน์ของความรู้นี้ในกระบวนการผลิตสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ

Abstract: This study was to investigate the fundamental fo GaAs ohmic contacts fabrication. It was found that the ohmic contacts to n-GaAs in structure of Ni (200 Å/Au-Ge (300 Å)/GaAS (n+≃3x10¹⁸/cm⁻³) has the minimum specific contacts resistance 3.36x10⁻⁶ ohm-cm² when annealed at 475℃ for 2 min., and the ohmic contacts to p-GaAs in structure of Au-Zn (200 Å)/GaAS p+2x10¹⁸/ cm⁻³) has the minimum specific contacts resistance 8.22x10⁻⁵ ohm-cm² when annealed at 500℃ for 6 min. The I-V characteristics of contacts become linear when they were annealed under appropriate conditions. This result indicates the dependence of specific resistivity of contacts on temperature and time of annealing. Finally, the knowledge of this study was applied to fabrication of GaAS diode to demonstrate its usefulness in semiconductor device processing.

จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. สำนักงานวิทยทรัพยากร

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: cuir@car.chula.ac.th

Name: บรรยง โตประเสริฐพงศ์

Role: ที่ปรึกษา

Name: ชุมพล อันตรเสน

Role: ที่ปรึกษา

Created: 2531

Modified: 2561-01-28

Issued: 2561-01-20

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

URL: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/48777

ISBN: 9745686042

tha

DegreeName: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต

Level: ปริญญาโท

Descipline: วิศวกรรมไฟฟ้า

Grantor: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

©copyrights จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	Somchai_ra_front.pdf	1.81 MB
2	Somchai_ra_ch1.pdf	806.41 KB
3	Somchai_ra_ch2.pdf	1.46 MB
4	Somchai_ra_ch3.pdf	1.6 MB
5	Somchai_ra_ch4.pdf	1.44 MB
6	Somchai_ra_ch5.pdf	1.1 MB
7	Somchai_ra_ch6.pdf	1.4 MB
8	Somchai_ra_ch7.pdf	1.17 MB
9	Somchai_ra_ch8.pdf	1.16 MB
10	Somchai_ra_ch9.pdf	282.27 KB
11	Somchai_ra_back.pdf	973.33 KB

ใช้เวลา

0.032712 วินาที